对基于 GaN、SiC 和 GaAs 的 HEMT、LED、VCSEL 和电力电子器件进行分析

对高性能(光)电、高功率、高频设备的市场需求的日益增长，推动了当今化合物半导体行业的不断发展，以应对新的挑战。氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)是制造大功率电子器件的首选材料。基于砷化镓(GaAs)的垂直腔面发射激光器(VCSEL)广泛用于手机中的面部识别功能，而氮化镓技术则彻底改变了发光二极管(LED)照明和高频高电子迁移率晶体管(HEMT)设备。开发具有定制光学和电气特性的结晶薄膜、持续改进大批量生产流程以及增强质量管理，都是提高产量和控制此类设备成本的必要条件。X射线测量是一种经过验证的理想工具，可帮助业界实现这些目标。

基于X射线技术（XRD、XRR 和 XRF）的测量工具已证明了其可靠和强大的性能。其他技术都不能为外延层、异质结构和超晶格系统的离位研究提供优势组合，即无损测量、准确度、精度和绝对分析的组合。

对化合物半导体晶片进行高精度超快分析

自早期以来，马尔文帕纳科便与化合物半导体行业紧密合作，将XRD和XRF转变为“支柱型”测量工具。了解并理解我们的客户所面对的分析问题有助于我们为从半导体研发到批量生产的整个过程提供高效的自动化控制解决方案。

X'Pert³高分辨X射线衍射仪（X'Pert³ MRD 和 X'Pert³ MRD XL）是用于高分辨率摇摆曲线、X 射线反射率和超快倒易图(URSM)分析的XRD平台。它能提供有关晶体生长参数（如材料成分、薄膜厚度、渐变层图谱、晶相和介面层质量）的完整、准确的信息。也可以通过这些测量值来估算晶体质量参数，如马赛克特性和缺陷密度。此外，MRD平台还可用于对基板和薄膜中的缺陷进行高分辨率形貌成像。该仪器可用于研究和生产环境中。在生产过程中，它可与自动晶片装载结合使用。
XRF (2830 ZT晶圆分析仪) 能提供多种薄膜的厚度和成分信息，还能提供晶片的污染和掺杂度以及表面均匀性相关信息。