DDCOM

概述

动动手指即可实现精度高达 (1/100)^o 的超快晶体取向。DDCOM 获得可靠结果的速度比传统方法快 100 倍以上，并且由于采用自下而上的测量几何结构，还能节省更多时间。这款拥有出色多功能性的仪器采用风冷 X射线光管和便携式设计，可确保降低运行成本，同时尽可能提高便利性。

这种方法仅需一次扫描旋转即可收集确定晶体取向所需的所有数据。有关旋转轴的测量增加了吞吐量，同时可在短短几秒钟内提供精确的结果。

保持对切割、研磨和抛光流程的控制，精度高达 1/100o。DDCOM 提供单晶的完整晶格取向。它还可以由预编程的晶体参数启用，从而确定各种结构的任意未知方向。方位角设置功能与晶体方向标记相结合，有助于优化工作流，提高效率。

DDCOM 的紧凑型设计使系统能够适应任何环境。软件功能强大且直观，为各类用户提供方便且易于操作的功能。

DDCOM 配备齐全，适合需要分析各种样品类型的研究和生产环境。DDCOM 的运行成本较低，这得益于其低能耗和风冷 X 射线光管 - 无需水冷却。

该仪器可以测量一系列具有不同结构的不同材料，让任何实验室都具备灵活性。可测量材料的一些示例包括：

立方晶系，任意未知取向：Si、Ge、GaAs、GaP、InP
立方晶系、特殊取向：Ag、Au、Ni、Pt、GaSb、InAs、InSb、AlSb、ZnTe、CdTe、SiC₃C、PbS、PbTe、SnTe、MgO、LiF、MgAl₂O₄、SrTiO₃、LaTiO₃
四方晶系：MgF₂、TiO₂、SrLaAlO₄
六方晶系和三角晶系：SiC 2H、4H、6H、15R、GaN、ZnO、LiNbO₃、SiO₂（石英）、Al₂O₃（蓝宝石）、GaPO₄、La₃Ga₅SiO₁₄
正交晶系：Mg₂SiO₄、NdGaO₃

用于切割、研磨和抛光流程的晶体取向控制: DDCOM XRD 占地面积小、自动化能力强、测量速度快，为您提供了一种方便、用户友好的晶体取向测量方法，能够精确有效地控制切割、研磨和抛光流程。

晶体取向的设置和标记: DDCOM 配备晶体取向的方位设置和标记。晶圆标记依赖于卓越的精度和快速监控，而 DDCOM 可提供您的流程所需的速度和精度。它有着轻巧便携的特点，可轻松整合到现有设置中，也可方便地纳入新流程。

质量控制: 测量速度和通量时间对于生产质量控制至关重要，但对于常规测量而言，保持低运行成本也很重要。由于采用自上而下的测量几何结构，DDCOM 不仅在通量和生产率方面具有出色的效率，能源使用的效率同样出众，能够帮您降低成本、优化流程运行，同时不影响质量。

材料研究: DDCOM 能够在较小的实验室空间内测量多种晶体类型，是标准研究工作流程的理想选择。通过最大限度地减少能耗并使用无需水冷的风冷 X射线光管，让运行成本保持在较低水平。无论用户经验水平如何，DDCOM 都易于访问、易于操作，因此是研究实验室的实用解决方案。

技术规格
X射线源	30 W 风冷 X射线光管，铜阳极
探测器	两个闪烁计数器
样品杯	精密转台、设置精度 0.01°、用于定义样品定位和标记的工具
物理规格
尺寸	600 mm × 600 mm × 850 mm
重量	80 kg
电源	100-230 V，500 W，单相
室温	≤ 30° C
配置选项
用于晶圆映射（最大直径 225 mm）的装置
用于从载盘自动装载的装置
可测量材料示例
立方晶系/任意未知取向： Si、Ge、GaAs、GaP、AlAs、AlP、InP、NaCl、AgCl、CaF ₂
立方晶系/特殊取向： Ag、Au、Ni、Pt、GaSb、InAs、InSb、AlSb、ZnTe、CdTe、SiC 3C、PbS、PbTe、SnTe、MgO、LiF、MgAl ₂ O ₄ 、SrTiO ₃ 、LaTiO ₃
四方晶系： MgF ₂ 、TiO ₂ 、SrLaAlO ₄
六方晶系/三角晶系： SiC 2H、4H、6H、15R、GaN、ZnO、LiNbO ₃ 、SiO ₂ （石英）、Al ₂ O ₃ （蓝宝石）、GaPO ₄ 、La ₃ Ga ₅ SiO ₁₄
正交晶系： Mg ₂ SiO ₄ 、NdGaO ₃
根据客户需求提供更多材料

用于探索和映射晶体取向或表面畸变的可选插件。

一个额外的工具，可以从载盘自动装载样品，从而缩短通量时间并提高工作流程效率。