薄膜和表面的纳米结构分析

掠入射小角 X 射线散射 (GISAXS) 应用于含有尺寸范围为 1 – 100 nm 的纳米颗粒、毛孔和其他非均质性的薄表层。 GISAXS 用于获取有关这些纳米级特征的大小、形状和对齐的信息。 SAXS(小角 X 射线散射)应用于液体或粉末形式的纳米材料,而 GISAXS 应用于平基片上的表层。 GISAXS 用于显示横向尺寸和排列。

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掠入射小角 X 射线散射 (GISAXS)

薄膜纳米材料是诸如能源技术、光电材料、半导体设备、光子学、声学和催化作用等方面的活跃研究领域。 自 20 世纪 90 年代初以来,纳米结构的薄膜合成方法已迅速增加。 薄膜合成可以与平版印刷方法相结合,通常用于增强纳米结构中的排序。

集成电路:
多孔硅膜通常用于集成电路中,其中孔隙度用于控制电容器的介电性质。 这些纳米多孔材料可在溶胶凝胶过程中使用两亲嵌段共聚物进行合成。 使用结构导向剂,可以创建高度有序的纳米多孔阵列。

存储设备:
金属和金属氧化物纳米颗粒阵列通过多种不同的加工途径合成,可用于电子和磁应用。

光电子和 LED:
高级分子束外延 (MBE) 和化学气相沉积 (CVD) 方法用于生成适用于光电子应用的半导体量子点和纳米线。

催化:
贵金属纳米颗粒的薄膜和单分子层可使用溶液相方法合成并用在催化应用中。
电池和气体存储系统:
纳米孔隙用于存储气体。

质量控制:
反射仪可提供有关界面质量的详细深度信息,而 GISAXS 用于显示横向尺寸,包括界面步骤和不规则变化。

马尔文帕纳科解决方案

可在 Empyrean 多用途衍射仪上执行 GISAXS 实验。 有关 GISAXS 配置、GISAXS 对齐和测量的完整部署说明,请参见《Empyrean 用户指南》文档。

有关采用 Cu Kα 辐射的实验,请以低角度收集 GISAXS 数据,例如在范围 0-3o 之间。 此系列特别适用于使用 55μm 沥青 PIXcel3D 探测器的 2D 成像。 可使用 PIXcel3D 和 PIXcel3D 2X2 探测器来执行 2D GISAXS 测量。 很低的探测器背景可实现较长的计数时间,从而能够观察弱散射。

Empyrean

Empyrean

智能X射线衍射仪

更多细节
测量 晶体结构测定, 物相鉴定, 物相定量, 污染物检测与分析, 残余应力, 外延附生分析, 界面粗糙度, 织构分析, 3D 结构/成像, 倒易空间分析
测角仪配置 Vertical goniometer, Θ-Θ
粒度范围 1 - 100 nm
技术类型 X 射线衍射 (XRD)

Empyrean Nano 版

Empyrean Nano 版

多功能 X 射线散射平台

更多细节
测量 分子量, 颗粒形状, 粒子大小, 比表面积, 蛋白质团聚, 蛋白质稳定性, 物相鉴定, 物相定量, 孔径分布
测角仪配置 Vertical goniometer, Θ-Θ
粒度范围 1 - 100 nm
技术类型 X 射线衍射 (XRD), X 射线散射

Empyrean

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智能X射线衍射仪

Empyrean Nano 版

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多功能 X 射线散射平台

更多细节 更多细节
测量 晶体结构测定, 物相鉴定, 物相定量, 污染物检测与分析, 残余应力, 外延附生分析, 界面粗糙度, 织构分析, 3D 结构/成像, 倒易空间分析 分子量, 颗粒形状, 粒子大小, 比表面积, 蛋白质团聚, 蛋白质稳定性, 物相鉴定, 物相定量, 孔径分布
测角仪配置 Vertical goniometer, Θ-Θ Vertical goniometer, Θ-Θ
粒度范围 1 - 100 nm 1 - 100 nm
技术类型 X 射线衍射 (XRD) X 射线衍射 (XRD), X 射线散射