适用于原位 X 射线分析的完整解决方案
材料的任何宏观性质都与其结构特性直接相关（如晶体对称性、晶粒尺寸、空位、纳米颗粒或细孔的大小和形状）。 温度、压力、不断变化的气体环境和机械应力触发相变、化学反应、再结晶等。
X 射线衍射 (XRD) 和 X 射线散射技术是获得这些变化正确且精确的原位表征的首要选择，有时甚至是唯一的选择。 不论是优化生产过程、调整合成过程，还是研究和制作新材料，原位 X 射线分析都是最全面的问题解决工具。
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可快速加热至 1600 ºC，用于反射几何中的粉末 XRD 分析。
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温度可达 1200 ºC，用于透射和反射几何中的粉末 XRD、基本应力、SAXS、PDF 和薄膜分析。
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可快速加热至 2000 ºC，用于反射几何中的粉末 XRD 分析。 |
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温度范围为 -190 °C 至 +600 °C，用于反射和透射中的粉末 XRD、基本应力和薄膜分析。
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在温度和湿度受控的条件下，用于反射中的粉末 XRD、基本应力和薄膜分析。
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在温度和湿度受控的条件下，用于透射中的粉末 XRD 和基本 SAXS 测量。
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温度范围为 - 261 °C (12 K) 至 + 25 °C (298 K)，用于反射中的粉末 XRD、基本应力和薄膜分析。
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温度范围为 -193 ºC (80 K) 至 227 ºC (500 K)，用于粉末 XRD、基本 SAXS 和毛细管几何中的 PDF 分析。
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温度范围为 -203 °C (70 K) 至 252 °C (525 K)，用于反射中的粉末 XRD、基本应力和薄膜分析。 |
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温度可达到 900 ºC，压力可达到 100 巴，用于反射中的粉末 XRD、基本应力和薄膜分析。
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温度可达到 900 ºC，压力可达到 10 巴，可使用各种气体，用于反射中的粉末 XRD、基本应力和薄膜分析。
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用于在 -180 ºC 至 500 ºC 的温度条件下进行高级薄膜分析和应力测量。 |
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温度可达到 1100 ºC，用于高级薄膜分析、应力、织构和反射中的基本粉末 XRD 分析。
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Anton Paar BTS 150 和 BTS 500 台式加热台，用于原位 XRD（-10 °C 至 +500 °C）的低成本解决方案。 |
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