多年来,电子行业在硅半导体、数据存储、随机存取存储器(RAM)、集成电路(IC)和RF射频滤波器技术的支持下迅速发展,其发展速度遵循摩尔定律。这些小型器件是通信、个人计算机、消费类电子产品、汽车以及医疗、工业和政府应用的高级电子产品中使用的众多高级功能性小配件的核心。 这些器件大多在硅晶片基板上采用多层薄膜。X射线晶片测量工具可用于监测和控制关键设备参数,是硅半导体工厂不可或缺的一部分。

这些高级薄膜器件中使用的典型材料包括半导体、金属合金、介电材料和聚合物,其厚度可以从微米级别低至单分子层级别。要了解、改进和设计新器件,必须在多步骤制造流程的每个阶段测量关键薄膜特性,如薄膜层厚、晶相、合金成分、应变、结晶度、密度和界面形态。 这对用于控制制造流程的 X 射线测量技术提出了巨大的挑战 – X射线仪器必须与时俱进,满足日益严格的半导体晶片测量需求。    

在X射线晶片测量解决方案中具有优异的性能

仪器性能是提高半导体制造产量和产品质量的关键因素之一。 多年来,马尔文帕纳科一直为客户提供高产量和出色的解决方案,以支持薄膜分析中不断变化和提高的工艺要求。 

  • XRF晶圆分析仪  (2830 ZT) 具有测量薄膜厚度和成分的出色能力。 2830 ZT 波长色散型 X 射线荧光 (WDXRF) 晶圆分析仪专门针对半导体和数据存储行业而设计,可为多种晶片(直径达300mm)测定层结构、厚度、掺杂度和表面均匀性。 凭借出色的轻元素分析性能(包括硼)和每小时高达25片晶片的样品处理能力,2830 ZT 成为半导体行业中出众的薄膜测量工具。
  • XRD(X'Pert3 MRDX'Pert3 MRD XL高分辨X射线衍射仪)能提供完整、无需校准且准确的晶体生长信息,比如材料成分、薄膜厚度、渐变层图谱、晶相和介面层质量。

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