Debye屏蔽 – 其对ζ电位的影响

Debye屏蔽 – 它是什么?

在胶体样品中(这涵盖了从溶液中的分子到分散体中的颗粒的整个范围),对象之间的运动和力往往由影响邻居的电荷决定。当我们通过电泳光散射测量ζ电位时,其实是在探测颗粒的有效电荷。换句话说:ζ电位(或电泳迁移率)是衡量颗粒/分子的电荷如何影响另一个颗粒/分子的运动的标准。作为距离的函数,完整的电位描述了(探针)颗粒会受到多少该电荷的影响。随着距离的变化,这当然会改变:一个正电探针颗粒在靠近另一个正电颗粒时会非常“注意”到其电荷 – 然而,当距离远时则不会太“注意”。物理学将此描述为静电势随着1/r或探针和颗粒之间距离的增加而衰减。

高盐-低盐静电势 Debye屏蔽示意图当通过向分散体中添加额外的离子(例如NaCl)改变样品时,会发生一个有趣的现象。盐离子(既有正离子[Na+], 也有负离子[Cl-])将围绕带正电的颗粒排列。当存在大量盐时,许多离子倾向于在颗粒周围形成离子云,这将对颗粒的净电荷产生屏蔽或弱化的净效应。在草图中,蓝色情境表示高盐,而粉色电位表示低盐。这种效应以Debye命名,Debye屏蔽的一种特定特性长度尺度是Debye长度,即从某个颗粒到电静力得以显著减弱的位置的距离(为1/e)。高浓度盐的缓冲液或溶液具有较短的屏蔽长度,只有少量额外离子的溶液有较长的屏蔽长度。

Debye-Hückel屏蔽长度

这可以用Debye-Hückel屏蔽长度λ的公式表示

电泳迁移率是粒子速度与场强之比的方程

对于在25°C下的水溶液中的单价离子,其中I为以mol/L计算的摩尔离子强度,而Debye-Hückel屏蔽长度1/κ以纳米获得(另见维基百科“浓缩电解质中的静电屏蔽长度…”,最终可从DLVO理论推导出)。以下示例展示了水溶性缓冲液中的典型屏蔽长度:

       

  • 100mM盐:~1nm屏蔽长度
  •    

  • 10mM盐:~3nm屏蔽长度
  •    

  • 1mM盐:~10nm屏蔽长度

因此,盐或其他离子的存在可以显著影响胶体样品内静电力的作用范围。

Debye屏蔽和ζ电位

由于离子会影响静电势,这将通过ζ电位的测量显现出来,而ζ电位是滑动面的静电势强度的度量。当向胶体样品中添加更多离子时,实效ζ电位将降低,因为它被Debye-Hückel屏蔽云中的反离子的存在“遮蔽”。当减少样品中的离子存在时,幅度更大的静电力延伸得更远,其净效应更强,从而导致更强的ζ电位。

这种效应可以在不同离子强度的硝酸锂LiNO3中制备的氧化铝颗粒数据中观察到:较低的盐浓度(红点)显示强ζ电位,而高盐浓度(蓝三角)抑制了观察到的值,使其更接近于零。

屏蔽长度与价态

以上Debye方程指出,离子的价态Z对屏蔽长度有影响:价态越大,屏蔽长度越小,即离子在屏蔽静电力方面越有效。有趣的是,当絮凝是期望结果且目标ζ电位接近零时,价态较大的离子能更早影响絮凝,即在较低浓度下即可实现。正如Malcolm ConnahRolf Nitzsche在旧版Zetasizer的手册中所述:

多价离子特别重要。它们对表面电荷屏蔽的影响与反离子的价数有关。对于二价反离子,絮凝浓度平均比单价离子低约100倍,而对于三价离子则低约1000倍。这被称为Schulze-Hardy规则,也是使用铝[Al3+]或铁[Fe3+]离子在水处理厂中导致负ζ电位颗粒絮凝的解释。

屏蔽长度、Henry的F(ka)或F(κa)与ζ

在电泳光散射中,我们获得的原始数据是电泳迁移率(通常以μm/s/V/cm或简化为μmcm/Vs表示)。然后可以将其转换为ζ电位,该转换的关键参数是Henry函数,也称为F(ka)或F(κa),其中a是颗粒半径,而kappa或k是Debye屏蔽长度的倒数。该转换有两种常用的限制:对于κa<~1时,Huckel(或Hückel)近似为F(κa)=1.0,而对于κa>~100时,Smoluchowski近似为F(κa)=1.5。这两个极限意味着屏蔽长度是重要的(Huckel)或屏蔽长度是可忽略的(Smoluchowski)。后者通常(但不总是)适用于典型胶体。

在纯水中稀释怎么样?

想知道如何稀释或准备样品进行ζ电位测量吗?最佳方法是使用“母液”或上清液,即样品已经体验的相同介质。奇怪的是,这可能会让人倾向于只使用milliQ水(以减少Debye屏蔽和获得最大ζ电位)。然而,这可能导致电极极化效应和不稳定的ζ结果。因此,样品中需要至少有一些电导率(从而存在一定的Debye屏蔽)。通常,几mM的毫摩尔盐(如NaCl,KCl)可能有效。关于此主题的有趣讨论,请查看为什么建议在测量ζ电位时向milliQ水中加盐?。当然,添加过多的盐可能会由于过多的Debye屏蔽而导致样品“沉淀”…

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